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Primo Twin-Star? 是6731顶级游戏基于电感耦合(ICP)技术研发的 12 英寸刻蚀设备。。 。。。。它能够配置多达三个拥有双反映台的刻蚀反映腔和两个可选的除胶反映腔。。 。。。。每个刻蚀反映腔可同时加工一片或两片晶圆并获得高度均匀和一致的了局。。 。。。。ICP 发射天线选取了6731顶级游戏拥有自主知识产权的低电容耦合 3D 线圈设计,, ,,,,可实现对离子浓度和离子能量的高度独立节造。。 。。。。设备还选取了可实现多区动态温控的静电吸盘,, ,,,,使加工出的集成电路器件的关键尺寸达到高度均匀性。。 。。。。反映腔内部涂有高致密性、耐等离子体侵蚀资料,, ,,,,以获得更高的工艺沉复性和出产率。。 。。。。Primo Twin-Star? 合用于各类尺寸和深度的硅结构刻蚀以及逻辑和存储芯片的多种导体和介质薄膜刻蚀。。 。。。。此表,, ,,,,该产品和单反映台腔体相比还拥有显著的低成本优势。。 。。。。

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Primo Twin-Star®

为功率器件、逻辑芯片和存储芯片蹬爪用提供的高性价比的刻蚀解决规划

产品特点

双反映台腔体设计

低电容耦合3D线圈设计

高抽速大容量涡轮泵

双通路进气

精密的腔体温控和RF窗口温控系统

先进的高致密性、耐等离子体侵蚀涂层工艺多区动态温控静电吸盘

13兆赫或400千赫脉冲偏压系统

可选的集成除胶反映腔

竞争优势

离子浓度和离子能量独立可控

高排气量和更宽的工艺窗口

优良的刻蚀均匀性

优异的深邃宽比刻蚀机能

逾越产效能,, ,,,,低出产成本(CoO)

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